Den mest avancerade integrerade kretsen är kärnan i en mikroprocessor eller flerkärnig processor, som kan styra allt från en dator till en mobiltelefon till en digital mikrovågsugn. Även om kostnaden för att utforma och utveckla en komplex integrerad krets är mycket hög, minimeras kostnaden för varje integrerad krets när den sprids över miljontals produkter. Prestandan hos integrerade kretsar är mycket hög, eftersom den lilla storleken ger korta banor, så att lågeffektlogikkretsar kan appliceras vid snabba omkopplingshastigheter.
Under årens lopp har integrerade kretsar fortsatt att utvecklas mot mindre dimensioner, vilket gör att varje chip kan paketera fler kretsar. Detta ökar kapaciteten per enhetsområde, vilket kan minska kostnaderna och öka funktionaliteten. Se Moores lag, antalet transistorer i integrerade kretsar fördubblas vart 1,5 år. Kort sagt, med krympningen av de yttre dimensionerna har nästan alla indikatorer förbättrats, enhetskostnaden och byteseffektförbrukningen har minskat och hastigheten har ökat. ICs som integrerar enheter i nanoskala har dock också problem, främst läckageströmmar. Därför är ökningen av hastighet och strömförbrukning för slutanvändaren mycket betydande, och tillverkarna står inför den akuta utmaningen att använda bättre geometrier. Denna process och de framsteg som förväntas under de närmaste åren beskrivs väl i färdplanen för den internationella halvledartekniken.
Bara ett halvt sekel efter dess utveckling har integrerade kretsar blivit allestädes närvarande, och datorer, mobiltelefoner och andra digitala apparater har blivit en oumbärlig del av den sociala strukturen. Detta beror på att moderna dator-, kommunikations-, tillverknings- och transportsystem, inklusive Internet, alla förlitar sig på förekomsten av integrerade kretsar. Även många forskare tror att den digitala revolutionen som orsakas av integrerade kretsar är den viktigaste händelsen i mänsklighetens historia. IC:s mognad kommer att medföra ett stort steg framåt inom teknik, oavsett om det gäller designteknik eller genombrott i halvledarprocessen, båda är nära besläktade.